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电子元器件详细资料 » IC[25848] » NSBC114EDP6T5G
型号:NSBC114EDP6T5G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-963描述:TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大408mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-963
供应商设备封装SOT-963
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市杰兴微电子有限公司林0755-23995152
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市春涛电子有限公司王云0755-82563615 82563213
深圳市源丰诚电子科技有限公司朱先生0755-23919407
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NSBC114EDP6T5G相关型号

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